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Markdown versions of documentation pages are available by appending `.md` to page URLs; this page is available as [Markdown](https://arc-10.gitbook.io/arc/095610_/t4.md). # Deep Dive *** ## Executive Summary 테스는 반도체 전공정 **PECVD(플라즈마 화학기상증착)·Gas Phase Etch(기상 식각) 장비** 국산 중견사로, SK하이닉스·삼성전자 메모리 capex의 직접 수혜주다. * **현재가 154,100원** (2026-06-09, 당일 +17.19%), 시가총액 약 **29,834억원** * **1년 주가 +590%** (22,350→154,100), RSI 69.7 과매수 직전 * **투자 포인트**: ① DRAM+NAND capex 슈퍼사이클 ② **BSD 신장비 DRAM 진입**(신규 성장축) ③ 2026Q1 OPM 22.8% 강한 실적 ④ 부채비율 24.4%·CB 0건 우량 재무 * **밸류에이션**: PER 53.4x(TTM)·Forward PER \~31x. 증권사 목표가(이동주 150,000원) 이미 돌파 * **확률가중 적정주가 155,000원** (현재가 **+0.6%**, 적정이나 단기 과매수) 종합 의견: 메모리 capex + BSD 신장비로 전공정 Top-pick 평가받는 우량 장비주이나, 1년 +590% + 당일 +17% 급등으로 적정가에 근접·과열. **추격보다 눌림목 분할 접근**을 권고한다. *** ## 1. 분석 배경 테스 주가는 1년간 22,350원 → 154,100원으로 **+590%** 급등, 당일에도 +17.19% 급등했다. 2023 메모리 다운사이클 적자에서 2024\~2025 강한 회복으로 전환했고, 메모리 capex 슈퍼사이클 + BSD 신장비 모멘텀이 주가를 끌어올렸다. 본 보고서는 ① PECVD·식각 전공정 장비 비즈니스, ② 메모리 capex + BSD 신장비 성장 동력, ③ 실적·밸류에이션·과열 리스크를 분석한다. ### 분석 범위 * PECVD·Gas Phase Etch 전공정 장비 * DRAM+NAND capex·BSD 신장비 성장 동력 * 실적 추세·밸류에이션·급등 과열 ### 한계 * BSD 신장비 DRAM 진입은 가시화 단계, 양산 수주 미확정 * 2026 추정은 메모리 capex 가정에 민감 * 분기 실적이 장비 인식 시점에 변동 *** ## 2. 산업/시장 개요 ### 메모리 capex 슈퍼사이클 AI 메모리(HBM·DDR5) 수요로 SK하이닉스·삼성 등 메모리 제조사 capex가 확대된다. 특히 **DRAM 투자에 이어 NAND 투자 재개**가 기대되며, 전공정 증착·식각 장비 수요가 동반 증가한다. 테스 실적은 이 사이클에 직접 연동된다(2023 다운사이클 적자 → 2024\~2025 급반등). ### PECVD·식각 전공정 장비의 역할 | 장비 | 역할 | | ------------------------- | ---------------------- | | PECVD | 플라즈마 화학기상증착 — 박막 형성 핵심 | | Gas Phase Etch & Cleaning | 기상 식각·세정 | | BSD(신장비) | DRAM 진입 가시화 — 신규 성장축 | 메모리 미세화·고단화로 증착·식각 스텝이 증가해 장비 수요가 구조적으로 늘어난다. PECVD는 전공정 핵심 장비로 capex 수혜가 직접적이다. ### BSD 신장비 — 성장 2막 테스의 핵심 모멘텀은 **BSD 장비의 DRAM 진입 가시화**다. 기존 PECVD·식각 레거시 장비에 BSD 신장비가 추가되면 ① 신규 ASP·매출, ② 점유율 확대, ③ 멀티플 재평가로 이어진다. 증권가는 이를 "탄탄한 레거시에 신규 장비가 추가"되는 성장 2막으로 평가한다. *** ## 3. 경쟁 구도 | 기업 | 영역 | 특징 | | --------------------- | -------------------- | -------------- | | **테스(095610)** | PECVD·Gas Phase Etch | 증착·식각, BSD 신장비 | | 원익IPS | 증착·식각 | 국산 대형 | | 주성엔지니어링 | ALD 증착 | ALD 강자 | | 유진테크 | LPCVD·ALD | 증착 | | Applied Materials/Lam | 증착·식각 | 글로벌 1위 | **테스의 포지셔닝**: PECVD·기상 식각 전공정 장비 국산 중견사로, SK하이닉스·삼성 메모리 capex 수혜. BSD 신장비 DRAM 진입으로 성장축을 확대 중. 우량 재무(부채 24%)와 흑자 기반, 전공정 Top-pick 평가가 차별점. ### Peer 대비 강·약점 * **강점**: PECVD·식각 레거시 + BSD 신장비, 우량 재무, OPM 16\~23% * **약점**: 메모리 capex 사이클 종속, 글로벌 대형사 대비 규모, 급등 후 고밸류 *** ## 4. 테스의 역량 분석 ### 전공정 장비 라인업 | 장비 | 단계 | 의미 | | ------------------------- | ----------- | ------------- | | PECVD | 양산·주력 | 박막 증착 핵심 | | Gas Phase Etch & Cleaning | 양산 | 기상 식각·세정 | | BSD | DRAM 진입 가시화 | 신규 성장축 | | 박막봉지(TFE)·MOCVD | 다각화 | 디스플레이·UVC LED | 레거시(PECVD·식각) 양산 기반에 BSD 신장비를 더해 "라인업 구축"을 완성하는 단계다. 증권가가 "할인 받을 이유가 없는 장비 라인업"으로 평가하는 근거다. ### 메모리 고객 기반 SK하이닉스·삼성전자 등 메모리 제조사가 핵심 고객으로, DRAM+NAND capex 확대의 직접 수혜를 받는다. NAND 투자 재개 기대가 추가 동력이다. ### 우량 재무 | 지표 | 값 | 의미 | | ----- | ----: | ------ | | 부채비율 | 24.4% | 최상위 건전 | | 유동비율 | 451% | 현금 풍부 | | CB/BW | 0건 | 희석 없음 | | ROE | 14.5% | 우수 | 다운사이클을 버틸 체력 + 회복기 투자·R\&D 여력을 갖춘 우량 재무로, 신장비 개발·양산 대응이 가능하다. *** ## 5. 실적 기여 시나리오 ### 연간 실적 추이 (DART, 억원) | 구분 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 | 2026E | | ---- | ----: | ----: | ----: | ----: | ------: | | 매출 | 3,580 | 1,469 | 2,401 | 3,511 | \~4,800 | | 영업이익 | 559 | -59 | 385 | 578 | \~950 | | OPM | 15.6% | -4.0% | 16.0% | 16.5% | \~20% | | 순이익 | 468 | 16 | 427 | 569 | \~950 | 2023 다운사이클 적자 저점 → 2024\~2025 강한 회복(매출 +63%·+46%). 2026E는 메모리 capex 가속 + BSD 신장비로 추가 성장 전망. OPM이 신장비 믹스로 20%대로 개선될 여지. ### 분기 흐름 (억원) | 분기 | 매출 | 영업이익 | OPM | | ------ | ----: | ---: | ----: | | 2025Q3 | 676 | 84 | 12.4% | | 2025Q4 | 1,170 | 128 | 10.9% | | 2026Q1 | 972 | 222 | 22.8% | 2026Q1 영업이익 222억·OPM 22.8%로 컨센서스 상회(삼성증권). 분기 OPM이 8\~25%로 변동(장비 믹스·인식)하나, 매출·이익 우상향 추세. ### 성장 경로 * 메모리 capex: DRAM 지속 + NAND 재개 → PECVD·식각 수주 * BSD 신장비: DRAM 진입 → 신규 매출·ASP * 하반기 신장비 모멘텀 (삼성증권·이동주) *** ## 6. 밸류에이션 영향 | 시나리오 | 적용 PER | 기준 EPS | 적정주가 | 현재가 대비 | | ----------------- | -----: | ----------: | -------: | -----: | | 보수(capex 둔화) | 23x | 4,800원(26E) | 110,000원 | -28.6% | | 기본(capex+신장비) | 30x | 4,800원 | 160,000원 | +3.8% | | 낙관(NAND·BSD DRAM) | 35x | 4,800원+ | 200,000원 | +29.8% | PER 53.4x(TTM)는 2025 기준. 2026 이익 급증으로 Forward PER \~31x로 하락. 메모리 capex + BSD 신장비가 프리미엄 근거이나, 1년 +590% 급등으로 증권사 목표가(150,000원)를 이미 돌파해 단기 밸류 부담. *** ## 7. 리스크 매트릭스 | 리스크 | 영향 | 확률 | 대응/헤지 | | ---------------- | -- | -- | ------------------ | | 메모리 capex 둔화 | 상 | 중 | DRAM·NAND 투자·수주 추적 | | 급등 과열·목표가 돌파 | 중 | 상 | 1년 +590% + 당일 +17% | | BSD 신장비 실행 | 중 | 중 | DRAM 진입 양산 수주 | | 밸류 부담(PER 53.4x) | 중 | 중 | Forward·성장 기준 | | 분기 변동성 | 중 | 중 | OPM 8\~25% 등락 | | 외국인 매도 | 중 | 상 | 수급 | **최대 리스크**: 메모리 capex 둔화와 급등 과열. 메모리 투자가 둔화되면 수주가 급감하고(2023 적자), 1년 +590% 급등·목표가 돌파 상태에서 단기 조정 위험이 크다. BSD 신장비 DRAM 진입이 양산으로 확인되지 않으면 성장 프리미엄이 약화된다. 단 우량 재무·강한 실적이 하방을 방어. *** ## 8. 확률가중 적정주가 | 시나리오 | 적정주가 | 확률 | 가중 기여 | | ------------------------ | -----------: | ---- | ------: | | 보수적 (capex 둔화·과열 조정) | 110,000원 | 30% | 33,000원 | | 기본 (메모리 capex + 신장비) | 160,000원 | 45% | 72,000원 | | 낙관 (NAND 재개·BSD DRAM 진입) | 200,000원 | 25% | 50,000원 | | **확률가중 합계** | **155,000원** | 100% | — | **현재가 154,100원 대비 +0.6% (적정, 단 단기 과매수)** 메모리 capex + BSD 신장비 성장 동력과 우량 재무가 매력이나, 1년 +590% 급등으로 적정가에 근접했다. NAND 재개·BSD DRAM 진입 양산 시 낙관(200,000원, 피보 확장) 여지. 단기적으로는 +17% 급등 되돌림 위험. *** ## 9. 결론 테스는 PECVD·기상 식각 전공정 장비 국산 중견사로, SK하이닉스·삼성 메모리 capex의 직접 수혜주다. 2023 다운사이클 적자 저점을 지나 2024\~2025 강한 회복(매출 +63%·+46%, OPM 16%대)을 시현했고, 2026Q1 영업이익 222억·OPM 22.8%로 컨센서스를 상회했다. **DRAM+NAND capex 회복 + BSD 신장비 DRAM 진입**이 성장 2막 동력이며, 부채비율 24.4%·CB 0건의 우량 재무가 뒷받침한다. 전공정 장비 Top-pick으로 평가받는다. 다만 1년 +590% + 당일 +17% 급등으로 PER 53.4x·PBR 6.98x까지 올랐고, 증권사 목표가(150,000원)를 이미 돌파해 단기 밸류·수급 부담이 크다. 확률가중 적정주가 155,000원은 현재가에 근접(+0.6%)하며, 메모리 capex 사이클 종속·신장비 실행 리스크도 동반된다. **추격보다 MA5 132,980원 \~ MA20 121,785원 눌림목 분할 매수**가 합리적이며, NAND 투자 재개·BSD 신장비 양산 수주를 확인하며 비중을 늘리는 전략을 권고한다. **모니터링 체크포인트**: * ✅ DRAM+NAND capex 동향 — NAND 투자 재개 여부 * ✅ BSD 신장비 DRAM 진입·양산 수주 — 성장 2막 핵심 * ✅ 분기 매출·OPM — 메모리 capex 수혜 지속(2026Q1 OPM 22.8%) * ⚠️ 급등 과열·목표가 돌파 — PER 53.4x, 1년 +590% + 당일 +17% * ✅ 박막봉지·MOCVD 다각화 — 비메모리 옵션